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30A	文件：315.84 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY RECTIFIER	IRF International Rectifier	IRF
30A	文件：263.6 Kbytes Page：2 Pages	SILICON RECTIFIERS	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
30A01C	文件：36.79 Kbytes Page：4 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features •Largecurrentcapacity. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance). RCE(sat)typ=0.67Ω[IC=0.3A,IB=15mA].•Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts. •SmallON-resistance(Ron). Applica	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
30A01S	文件：57.28 Kbytes Page：3 Pages	30A01S Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features •Largecurrentcapacity. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance). RCE(sat)typ=0.67Ω[IC=0.3A,IB=15mA]. •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts. •SmallON-resistance(Ron). Applic	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
30A01SP	文件：31.32 Kbytes Page：4 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features •Largecurrentcapacity. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance). RCE(sat)typ=0.67Ω[IC=0.3A,IB=15mA]. •SmallON-resistance(Ron). Applications •Low-frequencypoweramplifier,mutingcircuit.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
30A02CH	文件：52.02 Kbytes Page：4 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features •Largecurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance). RCE(sat)typ=580mΩ[IC=0.7A,IB=35mA]. •SmallON-resistance(Ron). Applications •Low-frequencyAmplifier,high-speedswitching,smallm	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
30A02CH	文件：583.71 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor BipolarTransistor –30V,–0.7A,LowVCE(sat)PNPSingleCPH3 Features •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)RCE(sat)typ.=580mΩ[IC=0.7A,IB=35mA] •SmallON-resistance(Ron) Applications •Low-frequencyAmplifier,high-speedswitching,smal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
30A02CH-TL-E	文件：583.71 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor BipolarTransistor –30V,–0.7A,LowVCE(sat)PNPSingleCPH3 Features •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)RCE(sat)typ.=580mΩ[IC=0.7A,IB=35mA] •SmallON-resistance(Ron) Applications •Low-frequencyAmplifier,high-speedswitching,smal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
30A02MH	文件：51.61 Kbytes Page：4 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features •Largecurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance). RCE(sat)typ=580mΩ[IC=0.7A,IB=35mA]. •SmallON-resistance(Ron). Applications •Low-frequencyAmplifier,high-speedswitching,smallm	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
30A02MH	文件：369.24 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor -30V, -0.7A, Low VCE(sat) PNP Single MCPH3 BipolarTransistor –30V,–0.7A,LowVCE(sat)PNPSingleMCPH3 Features •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)RCE(sat)typ=580mΩ[IC=0.7A,IB=35mA] •SmallON-resistance(Ron) Applications •Low-frequencyAmplifier,high-speedswitchingsmallmoto	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
30A
制造商：
Cooper Bussmann
制造商：
MAJOR
制造商：
CML Innovative Technologies
制造商：
Visual Communications Company(VCC)
功能描述：
30A /Custom Part

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	30A	NO	23+	3SOT-23	1085	优势库存	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	30A	ON/安森美	23+	923+	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	30A	ON/安森美	23+	923+	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	30A	玻璃保险管	24+	630	60000	全新原装现货	询价
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更多30A供应商更新时间2025-7-22 14:03:00

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