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2SK801

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET FEATURES Suitable for switching power supplies, actuater controls and pulse circuits. 4 V Gate Drive - Logic level - Low RDS(on) No second breakdown

文件:154.96 Kbytes 页数:4 Pages

NEC

瑞萨

2SK801

MOSFET SMALL SIGNAL N-CHANNEL 60V, 310mA

文件:610.47 Kbytes 页数:6 Pages

AITSEMI

创瑞科技

2SK801

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET

Renesas

瑞萨

2SK801

FET

AiT-Semi

创瑞科技

技术参数

  • ID (A):

    0.31

  • VGS(TH)Min/Max (V):

    1.0/2.2

  • RDS(ON) (mΩ):

    1500

  • Polarity:

    N

  • Package:

    SOT-23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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24+
60000
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TO-252
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NEC
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原装现货/欢迎来电咨询
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更多2SK801供应商 更新时间2026-4-2 16:30:00