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2SK680A	文件：317.62 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING? SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：317.62 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK680A	文件：39.83 Kbytes Page：2 Pages	Field Effect Transistor SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：39.83 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK680A	文件：542.52 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING 文件：542.52 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK680A	文件：45.03 Kbytes Page：1 Pages	MOS Field Effect Transistor Features 1. Directly driven by Ics having a 5V power source. 2. Not necessary to consider driving current because of its high input impeance. 3. Has low on-state resistance RDS(on)=1.0 Ohm MAX. @VGS=4.0V,ID=0.5A RDS(on)=0.70 Ohm MAX. @VGS=10V,ID=0.5A 文件：45.03 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK680A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Mounting Type：
Surface Mount
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
1000
Production Status：
EOL
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
700
Package Type：
PoMM/SC-62
Ciss (pF) typ.：
130
Nch/Pch：
Nch
Vgs (off) (V) max.：
2.5
Number of Channels：
Single
VGSS (V)：
20
Automotive：
YES
Pch (W)：
2
VDSS (V) max.：
30
Application：
Low Voltage General Switching

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更多2SK680A供应商更新时间2026-4-17 16:36:00

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