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2SK4222	文件：316.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.34Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：316.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK4222	文件：304.66 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications 文件：304.66 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK4222	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SK508	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT	NEC 瑞萨上传：深圳市讯运电子有限公司	NEC
2SK508G(K52G/K53G)	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	TOSHIBA/东芝上传：深圳广友电子有限公司	TOSHIBA/东芝

详细参数

型号：
2SK4222
功能描述：
MOSFET POWER MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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