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2SK429L	文件：48.45 Kbytes Page：1 Pages	HIGH SPEED POWER SWITCHING SILICON N-CHANNEL MOS FET HGH SPEED POWER SWITCHING 文件：48.45 Kbytes 页数：1 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK429L	文件：398.74 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 3.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.7Ω(Max) @ VGS= 15V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：398.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK429L	文件：1.035579 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.035579 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK429S	文件：48.45 Kbytes Page：1 Pages	HIGH SPEED POWER SWITCHING SILICON N-CHANNEL MOS FET HGH SPEED POWER SWITCHING 文件：48.45 Kbytes 页数：1 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK429S	文件：330.89 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 3.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.7Ω(Max) @ VGS= 15V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：330.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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