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2SK416	文件：47.51 Kbytes Page：1 Pages	HIGH SPPED POWER SWITCHING Complementary pair with 2SJ120L,2SJ120S SILICON N-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING Complementary pair with 2SJ120L, 2SJ120S 文件：47.51 Kbytes 页数：1 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK416	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON N-CHANNEL MOS FET	HITACHI 日立	HITACHI
2SK4164	文件：56.88 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Load switching applications. • Avalanche resistance guarantee. 文件：56.88 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK416L	文件：47.51 Kbytes Page：1 Pages	HIGH SPPED POWER SWITCHING Complementary pair with 2SJ120L,2SJ120S SILICON N-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING Complementary pair with 2SJ120L, 2SJ120S 文件：47.51 Kbytes 页数：1 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK416S	文件：47.51 Kbytes Page：1 Pages	HIGH SPPED POWER SWITCHING Complementary pair with 2SJ120L,2SJ120S SILICON N-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING Complementary pair with 2SJ120L, 2SJ120S 文件：47.51 Kbytes 页数：1 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK4161D	文件：376.5 Kbytes Page：7 Pages	Low on-resistance 文件：376.5 Kbytes 页数：7 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
2SK4161D	文件：303.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：303.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK416L	文件：398.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：398.24 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK416S	文件：330.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：330.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK4161D	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-channel型MOSFET 硅 N 通道型 MOSFET ・低导通电阻;	Sanken 三垦	Sanken

技术参数

VDS：
60V
VGS：
20V
ID：
100A
PD：
132W
VTHmin：
3.25V
VTHmax：
3.95V
RDS(ON)Typ.(VGS=10V)：
0.0038Ω
Ciss：
10000pF
Coss：
1000pF
Crss：
730pF
trr：
80ns

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市中飞凌科技有限公司	2SK416	RENESAS	26+	TO-252	360000	进口原装现货	询价
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