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2SK412	文件：329.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：329.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK4124	文件：55.49 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance, low input capacitance, ultrahigh-speed switching • Adoption of high reliability HVP process • Avalanche resistance guarantee 文件：55.49 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK4125	文件：288.88 Kbytes Page：7 Pages	null8-bit Withstand Voltage Microcontroller Features • ON-resistance RDS(on)=0.47Ω (typ.) • Input capacitance Ciss=1200pF (typ.) • 10V drive 文件：288.88 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SK4125	文件：55.74 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)=0.47Ω (typ.) • Input capacitance Ciss=1200pF (typ.) • 10V drive 文件：55.74 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK4125-1E	文件：288.88 Kbytes Page：7 Pages	null8-bit Withstand Voltage Microcontroller Features • ON-resistance RDS(on)=0.47Ω (typ.) • Input capacitance Ciss=1200pF (typ.) • 10V drive 文件：288.88 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SK4126	文件：55.65 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance, low input capacitance, ultrahigh-speed switching. • Adoption of high reliability HVP process. • Avalanche resistance guarantee. 文件：55.65 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK4120LS	文件：324.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：324.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK4120LS	文件：51.59 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 文件：51.59 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK4121LS	文件：51.16 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 文件：51.16 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK4121LS	文件：323.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：323.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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技术参数

Compliance：
Pb-free
Status：
Active
Description：
N-Channel Power MOSFET
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
500
VGS Max (V)：
30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
20
PD Max (W)：
2.5
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
1200
Package Type：
TO-3P-3L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK412供应商更新时间2026-4-20 16:30:00

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