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2SK3992-ZK	文件：331.55 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：331.55 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3993	文件：398.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：398.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3993	文件：994.57 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：994.57 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK3993-ZK	文件：331.28 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：331.28 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3994	文件：248.59 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator, DC/DC Converter Motor Drive Applications 文件：248.59 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3994	文件：323.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：323.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3994	文件：255.13 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator, DC/DC Converter Applications Motor Drive Applications 文件：255.13 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3994_09	文件：248.59 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator, DC/DC Converter Motor Drive Applications 文件：248.59 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3900-ZP	文件：300 bytes Page：1 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION\nThe 2SK3900 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.FEATURES\n• Super low on-state resistance\n RDS(on)1 = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)\n RDS(on)2 = 10 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 41 A)\n• Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP.\n• Built-i • Super low on-state resistance\n RDS(on)1 = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)\n RDS(on)2 = 10 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 41 A)\n• Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP.\n• Built-in gate protection diode ;	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK3901	文件：300 bytes Page：1 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION\nThe 2SK3901 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.FEATURES\n• Super low On-state resistance\n RDS(on)1 = 13 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)\n RDS(on)2 = 16.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 30 A)\n• Low Ciss: Ciss = 1950 pF TYP.\n• Buil • Super low On-state resistance\n RDS(on)1 = 13 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)\n RDS(on)2 = 16.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 30 A)\n• Low Ciss: Ciss = 1950 pF TYP.\n• Built-in gate protection diode ;	Renesas 瑞萨	Renesas

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技术参数

封装类型：
MP-3ZK/TO-252
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
25
ID (A)：
30
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
30.2
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
13
Ciss (pF) 典型值：
830
Vgs (off) (V) 最大值：
3
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
21
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
QG (nC) 典型值：
17

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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