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2SK386	文件：41.57 Kbytes Page：1 Pages	2SK386 文件：41.57 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SK386	文件：328.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：328.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK386	文件：300 bytes Page：1 Pages	2SK386	未知品牌	未知品牌
2SK3863	文件：297.23 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.35 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 2.8 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 500 V) • Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：297.23 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3863	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3868	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3868	文件：72.49 Kbytes Page：5 Pages	Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 1.3 Ω(typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 3 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 100 μA (VDS= 500 V) • Enhancement model: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA) 文件：72.49 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3869	文件：249.81 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.55 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 5.5 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 450 V) • Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：249.81 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3869	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3863	文件：237.57 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications 文件：237.57 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Product Category：
Power MOSFET (N-ch 250V＜VDSS≦500V)
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Recommended Product 1：
TK11A45D(Almost same package but similar characteristics)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SK386		24+		30000		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2SK386	TOSHIBA	23+	TO-3PL	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市勤思达科技有限公司	2SK386	东芝TOSHIB	15+	TO-264	11560	全新原装,现货库存,长期供应	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	2SK386	TOSHIBA	23+	模块	620	全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势!	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	2SK386	TOSHIBA/东芝	22+	TO3P	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多2SK386供应商更新时间2026-1-25 16:30:00

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