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2SK3812-ZP数据手册Renesas中文资料规格书
2SK3812-ZP规格书详情
描述 Description
The 2SK3812 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特性 Features
• Super low on-state resistanceRDS(on)1 = 2.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A)RDS(on)2 = 3.7 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 55 A)
• High current rating: ID(DC) = ±110 A
技术参数
- 型号：
2SK3812-ZP
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
TO-263 |
8866 |
询价 | |||
RENESAS |
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TO-263 |
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TO-263 |
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TO-263 |
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2025+ |
TO-263 |
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国产 |
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NEC |
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