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2SK3812-ZP中文资料Nch Single Power Mosfet 60V 110A 2.8Mohm Mp-25Zp/To-263数据手册Renesas规格书

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厂商型号

2SK3812-ZP

功能描述

Nch Single Power Mosfet 60V 110A 2.8Mohm Mp-25Zp/To-263

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 16:56:00

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2SK3812-ZP规格书详情

描述 Description

The 2SK3812 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性 Features

• Super low on-state resistanceRDS(on)1 = 2.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A)RDS(on)2 = 3.7 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 55 A)
• High current rating: ID(DC) = ±110 A

技术参数

  • 型号:

    2SK3812-ZP

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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