2SK3799中文资料Power MOSFET (N-ch 700V VDSS)数据手册Toshiba规格书
2SK3799规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch
Generation：π-MOSⅣ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：马来西亚
特性 Features
Drain current ID 8 A
Power Dissipation PD 50 W
Drain-Source voltage VDSS 900 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 型号：
2SK3799
- 制造商：
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述：
MOSFET N 900V TO-220SIS
- 功能描述：
MOSFET, N, 900V, TO-220SIS
- 功能描述：
MOSFET, N, 900V, TO-220SIS; Transistor
- Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
- Id：
8A; Drain Source Voltage
- Vds：
900V; On Resistance
- Rds(on)：
1.3ohm; Rds(on) Test Voltage
- Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
- Typ：
4V; No. of
- Pins：
3 ;RoHS
- Compliant：
Yes
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