2SK3798数据手册Toshiba中文资料规格书
2SK3798规格书详情
描述 Description
Polarity:N-ch
Generation:π-MOSⅣ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:马来西亚
特性 Features
Drain current ID 4 A
Power Dissipation PD 40 W
Drain-Source voltage VDSS 900 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 型号:
2SK3798
- 制造商:
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述:
TRANS MOSFET N-CH - Rail/Tube
- 功能描述:
MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
TO-220F |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-220F |
45000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
TO-220(SIS) |
4326 |
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TOS原装 |
24+ |
TO-220F |
30980 |
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TOSHIBA |
2023+ |
TO-220F |
50000 |
原装现货 |
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TOSHIBA/东芝 |
2022+ |
TO-220F |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO-220F |
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TOS原装 |
25+23+ |
TO-220F |
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TOSHIBA |
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TO220F |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-220F |
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