2SK3798中文资料Power MOSFET (N-ch 700V VDSS)数据手册Toshiba规格书
2SK3798规格书详情
描述 Description
Polarity:N-ch
Generation:π-MOSⅣ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:马来西亚
特性 Features
Drain current ID 4 A
Power Dissipation PD 40 W
Drain-Source voltage VDSS 900 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 型号:
2SK3798
- 制造商:
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述:
TRANS MOSFET N-CH - Rail/Tube
- 功能描述:
MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
30000 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
2016+ |
TO-220F |
6000 |
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询价 | ||
TOS原装 |
25+23+ |
TO-220F |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-220F |
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询价 | ||
TOS |
17+ |
TO-220F |
6200 |
询价 | |||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-220F |
30000 |
全新原装正品支持含税 |
询价 | ||
TOS原装 |
24+ |
TO-220F |
30980 |
原装现货/放心购买 |
询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
2023+ |
TO-220F |
50000 |
原装现货 |
询价 |