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2SK3359-Z	文件：48.34 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The2SK3359isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=10V,ID=35A) RDS(on)2=28mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=4900pFTYP. •Built-	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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