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2SK3353	文件：43.27 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK3353 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on)1= 9.5 mΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 41 A) RDS(on)2= 14 mΩMAX. (VGS= 4 V, ID= 41 A) • Low Ciss: Ciss= 4650 pF TYP. • Built-in 文件：43.27 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK3353	文件：223.47 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3353 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 9.5mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) RDS(on)2 = 14mΩ MAX. (VGS = 4 V, ID = 41 A) • Lo 文件：223.47 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3353	文件：45.05 Kbytes Page：1 Pages	MOS Field Effect Transistor Features ● Super low on-state resistance: RDS(on)1=9.5mΩ MAX. (VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=14mΩ MAX. (VGS=4V,ID=41A) ● Low Ciss:Ciss = 4650 pF TYP. ● Built-in gate protection diode 文件：45.05 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK3353	文件：333.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3353	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK3353-S	文件：223.47 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3353 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 9.5mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) RDS(on)2 = 14mΩ MAX. (VGS = 4 V, ID = 41 A) • Lo 文件：223.47 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3353-S	文件：43.27 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK3353 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on)1= 9.5 mΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 41 A) RDS(on)2= 14 mΩMAX. (VGS= 4 V, ID= 41 A) • Low Ciss: Ciss= 4650 pF TYP. • Built-in 文件：43.27 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK3353-Z	文件：43.27 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK3353 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on)1= 9.5 mΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 41 A) RDS(on)2= 14 mΩMAX. (VGS= 4 V, ID= 41 A) • Low Ciss: Ciss= 4650 pF TYP. • Built-in 文件：43.27 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK3353-Z	文件：223.47 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3353 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 9.5mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) RDS(on)2 = 14mΩ MAX. (VGS = 4 V, ID = 41 A) • Lo 文件：223.47 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3353-ZJ	文件：223.47 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3353 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 9.5mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) RDS(on)2 = 14mΩ MAX. (VGS = 4 V, ID = 41 A) • Lo 文件：223.47 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
9.5
Downloadable：
SPICE
Ciss (pF) typ.：
4650
Package Type：
MP-25/TO-220AB
Vgs (off) (V) max.：
2.5
Nch/Pch：
Nch
VGSS (V)：
20
Number of Channels：
Single
Pch (W)：
95
Automotive：
YES
Application：
Low Voltage General Switching
VDSS (V) max.：
60
Mounting Type：
Through Hole
ID (A)：
82
QG (nC) typ.：
90
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
14

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