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2SK3116B-S19-AY	文件：353.83 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3116B is N-channel MOS FET device that features a low gate charge and excellent switching characteristics, and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter. FEATURES • Low gate charge QG = 22 nC 文件：353.83 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多2SK3116B-S19-AY供应商更新时间2025-10-6 9:12:00

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