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2SK3116B-S19-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

2SK3116B-S19-AY
厂商型号

2SK3116B-S19-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

353.83 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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2SK3116B-S19-AY规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3116B is N-channel MOS FET device that features a

low gate charge and excellent switching characteristics, and

designed for high voltage applications such as switching power

supply, AC adapter.

FEATURES

• Low gate charge

QG = 22 nC TYP. (ID = 7.5 A, VDD = 450 V, VGS = 10 V)

• Gate voltage rating : ±30 V

• Low on-state resistance

RDS(on) = 1.2 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.75 A)

• Avalanche capability ratings

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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Renesas
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