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2SK3076	文件：51.89 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current. • Built-in fast recovery diode (trr=120 ns) 文件：51.89 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
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