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2SK3069-E	文件：87.25 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 6 mΩtyp. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.25 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3069	文件：52.09 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 6 mΩtyp. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：52.09 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3069	文件：87.25 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 6 mΩtyp. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.25 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3069	文件：333.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多2SK3069-E供应商更新时间2026-10-26 11:00:00