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2SK2937	文件：51.87 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.026 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：51.87 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2937	文件：121.72 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance : RDS=0.026 Ωtyp. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：121.72 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2937	文件：323.51 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：323.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2937	文件：1.48656 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.48656 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
2SK2937	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK2937-E	文件：121.72 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance : RDS=0.026 Ωtyp. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：121.72 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SK2937	RENESAS/瑞萨	25+	TO220F	20300	RENESAS/瑞萨原装特价2SK2937即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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上海金庆电子技术有限公司	2SK2937	TOSHIBA	19+	TO-220F-3	10	全新发货1-2天	询价

更多2SK2937供应商更新时间2026-4-18 14:14:00