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2SK2796L	文件：54.64 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.12Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：54.64 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2796L	文件：95.07 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.12 Ω typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：95.07 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2796L	文件：371.21 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：371.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2796L	文件：1.00198 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00198 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK2796L	文件：1.33376 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.33376 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
2SK2796L-E	文件：95.07 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.12 Ω typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：95.07 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2796L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

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