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2SK2553STL-E	文件：96.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • RDS(on)= 7 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Application High speed power switching 文件：96.13 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2553	文件：41.17 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • RDS(on)= 7 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Application High speed power switching 文件：41.17 Kbytes 页数：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2553L	文件：41.17 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • RDS(on)= 7 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Application High speed power switching 文件：41.17 Kbytes 页数：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2553S	文件：41.17 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • RDS(on)= 7 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Application High speed power switching 文件：41.17 Kbytes 页数：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

详细参数

型号：
2SK2553STL-E
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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更多2SK2553STL-E供应商更新时间2026-4-18 17:00:00

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