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2SK2527	文件：319.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：319.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2527	文件：323.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：323.24 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2527-01MR	文件：158.5 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET > Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier 文件：158.5 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2527-01MR	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel MOS-FET	FUJI 富士通	FUJI

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更多2SK2527供应商更新时间2026-4-15 11:00:00