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2SK2414	文件：58.82 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：58.82 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK2414	文件：311.38 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK2414 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications. FEATURES • Low On-Resistance RDS(on)1 = 70 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 5.0 A) RDS(on)2 = 95 mΩ MAX. (VGS = 4 V, ID = 5.0 A) • Low Ciss: Ci 文件：311.38 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2414	文件：309.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 70mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：309.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2414	文件：47.3 Kbytes Page：1 Pages	MOS Field Effect Transistor Features Low On-Resistance RDS(on)1 = 70 mΩ MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 5.0 A) RDS(on)2 = 95 mΩ MAX. (@ VGS = 4 V, ID = 5.0 A) Low Ciss Ciss = 840 pF TYP. Built-in G-S Gate Protection Diodes High Avalanche Capability Ratings 文件：47.3 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK2414	文件：960.05 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：960.05 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK2414	文件：323.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：323.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2414	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK2414-Z	文件：58.82 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：58.82 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK2414-Z	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 70mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.42 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2414-Z	文件：323.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：323.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
70
Downloadable：
SPICE
Ciss (pF) typ.：
860
Package Type：
MP-3/TO-251
Vgs (off) (V) max.：
2
Nch/Pch：
Nch
VGSS (V)：
20
Number of Channels：
Single
Pch (W)：
20
Automotive：
YES
Application：
Low Voltage General Switching
VDSS (V) max.：
60
Mounting Type：
Through Hole
ID (A)：
10
QG (nC) typ.：
24
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
95

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