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2SK2390	文件：64.03 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source • Suitable for Switching regulator, DC-DC converter • Avalanche ratings Application High speed power switching 文件：64.03 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2390	文件：296.8 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2390	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOS FET	HITACHI 日立	HITACHI
2SK241-GR/Y	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO92S	TOSHIBA/东芝上传：深圳广友电子有限公司	TOSHIBA/东芝
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更多2SK2390供应商更新时间2026-4-18 14:14:00