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2SK2361	文件：297.87 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-ChannelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance 2SK2361:RDS(on)=0.9ΩMAX.(VGS=10V,ID=5.0A) 2SK2362:RDS(on)=1.0ΩMAX.(VGS=10	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK2361	文件：114.99 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK2353/2SK2354isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance 2SK2353:RDS(on)=1.4Ω(VGS=10V,ID=2.5A) 2SK2354:RDS(on)=1.5Ω(VGS=10V,ID=2.5A) •LowCissCiss=670pFTY	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-ChannelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance 2SK2361:RDS(on)=0.9ΩMAX.(VGS=10V,ID=5.0A) 2SK2362:RDS(on)=1.0ΩMAX.(VGS=10

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK2353/2SK2354isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance 2SK2353:RDS(on)=1.4Ω(VGS=10V,ID=2.5A) 2SK2354:RDS(on)=1.5Ω(VGS=10V,ID=2.5A) •LowCissCiss=670pFTY

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

详细参数

型号：
2SK2361(A)
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Cut Tape

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	2SK2361-TL	NEXPERIA/安世	23+	SOT1210	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
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