isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

Silicon N-Channel Power F-MOS FET

■Features ●Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 100mJ ●VGSS= ±30V guaranteed ●High-speed switching: tf= 40ns ●No secondary breakdown

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PANASONIC

松下

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

NEC

瑞萨

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TO-220

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司