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2SK2094	文件：127.41 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K2094；Package：SOT-428；Small switching (60V, 2A) Structure Silicon N-channel MOS FET Features 1) Low On-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) 4V drive. 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy. Applications Switching 文件：127.41 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SK2094	文件：299.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.35Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.7 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2094	文件：42.22 Kbytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Features Low on-resistance Fast switching speed Low-voltage drive Easily designed drive circuits 文件：42.22 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK2094	文件：95.65 Kbytes Page：5 Pages	丝印：K2094；Package：SOT-428；4V Drive Nch MOS FET 文件：95.65 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SK2094	文件：378.85 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：378.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2094	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET •4V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
2SK2094_1	文件：95.65 Kbytes Page：5 Pages	4V Drive Nch MOS FET 文件：95.65 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SK2094-Z	文件：1.1171 Mbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET 文件：1.1171 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
2.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.3
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.4
Power Dissipation (PD)[W]：
20.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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