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2SK2059	文件：47.81 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • No Secondary Breakdown • Suitable for Switching regulator, DC - DC converter Application High speed power switching 文件：47.81 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2059	文件：208.42 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC - DC converter 文件：208.42 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2059	文件：1.08592 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08592 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK2059	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET • Low on-resistance\n• High speed switching\n• No Secondary Breakdown\n• Suitable for Switching regulator, DC - DC converterApplication\nHigh speed power switching;	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK2059L	文件：47.81 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • No Secondary Breakdown • Suitable for Switching regulator, DC - DC converter Application High speed power switching 文件：47.81 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2059L	文件：308.96 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 3A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：308.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2059L-E	文件：208.42 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC - DC converter 文件：208.42 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2059S	文件：298.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 3A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：298.99 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2059S	文件：44.4 Kbytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Low on-resistance High speed switching No Secondary Breakdown Suitable for Switching regulator, DC - DC converter 文件：44.4 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK2059S	文件：47.81 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • No Secondary Breakdown • Suitable for Switching regulator, DC - DC converter Application High speed power switching 文件：47.81 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

技术参数

封装类型：
DPAK
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
600
ID (A)：
3
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
5
Ciss (pF) 典型值：
295
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SK2059供应商更新时间2026-4-18 16:30:00

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