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2SK2000	文件：145.14 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET Power MOSFET 文件：145.14 Kbytes 页数：10 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2000	文件：343.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.06Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：343.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2000-R	文件：145.14 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET Power MOSFET 文件：145.14 Kbytes 页数：10 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2002-01MR	文件：213.52 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET > Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier 文件：213.52 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2003-01MR	文件：202.23 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET FAP-IIA Series > Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Pow 文件：202.23 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2004-01L	文件：219.44 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET > Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier 文件：219.44 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2004-01S	文件：219.44 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET > Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier 文件：219.44 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2004L	文件：285.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 4.0A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：285.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2004S	文件：345.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 4.0A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2005	文件：345.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 3.0A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
2SK200
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET

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