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2SK2020-01MR	文件：204.45 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET >Features -HighSpeedSwitching -LowOn-Resistance -NoSecondaryBreakdown -LowDrivingPower -HighVoltage -VGS=±30VGuarantee -AvalancheProof >Applications -SwitchingRegulators -UPS -DC-DCconverters -GeneralPurposePowerAmplifier	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
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2SK2020-01MR

文件：204.45 Kbytes

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N-channel MOS-FET

>Features -HighSpeedSwitching -LowOn-Resistance -NoSecondaryBreakdown -LowDrivingPower -HighVoltage -VGS=±30VGuarantee -AvalancheProof >Applications -SwitchingRegulators -UPS -DC-DCconverters -GeneralPurposePowerAmplifier

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji

2SK2020-01MR

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isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION •DrainCurrent–ID=3.5A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=500V(Min) •FastSwitchingSpeed •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Switchingregulators •UPS •DC-DCconverters •Generalpurposepoweramplifie

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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2SK2020-01

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FastSwitchingSpeed

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详细参数

型号：
2SK2020-01MR
制造商：
FUJI
制造商全称：
Fuji Electric
功能描述：
N-channel MOS-FET

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