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2SK2020-01	文件：54.34 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching Speed 文件：54.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2020-01MR	文件：204.45 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET > Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier 文件：204.45 Kbytes 页数：2 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK2020-01MR	文件：281.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Drain Current –ID= 3.5A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) • Fast Switching Speed • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Switching regulators • UPS • DC-DC converters • General purpose power amplifie 文件：281.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2020-01MR	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel MOS-FET	FUJI 富士通	FUJI

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更多2SK2020-01供应商更新时间2025-10-11 11:07:00