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2SK1762	文件：33.49 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switchingregulator, DC-DC converter 文件：33.49 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK1762	文件：79.37 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：79.37 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1762-E	文件：79.37 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：79.37 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1763L	文件：309.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 2.5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.35Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：309.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1763S	文件：299.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 2.5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.35Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1764	文件：75.82 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application • Low frequency amplifier • High speed switching Features • Low on-resistance • High speed switching • 4 V Gate drive device can be driven from 5 V source • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：75.82 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1764	文件：28.14 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Application Low frequency amplifier High speed switching Features • Low on-resistance • High speed switching • 4 V Gate drive device can be driven from 5 V source • Suitable for switchingregulator, DC-DC converter 文件：28.14 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK1764KYTL-E	文件：75.82 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application • Low frequency amplifier • High speed switching Features • Low on-resistance • High speed switching • 4 V Gate drive device can be driven from 5 V source • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：75.82 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1764KYTR-E	文件：75.82 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application • Low frequency amplifier • High speed switching Features • Low on-resistance • High speed switching • 4 V Gate drive device can be driven from 5 V source • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：75.82 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1769	文件：142.9 Kbytes Page：2 Pages	Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type Features • Low Drain-Source ON Resistance - ROS(ON) = 3.002 (Typ.) • High Forward Transfer Admittance - Ysl = 1.5S (Typ.) • Low Leakage Current - loss = 300μA (Max.) @ VDs= 600V • Enhancement-Mode - Vth = 2.0 ~ 4.0V @ Vos= 10V, b= 1mA 文件：142.9 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

封装类型：
TO-220AB
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In SBD
VDSS (V) 最大值：
250
ID (A)：
12
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
350
Ciss (pF) 典型值：
1100
Vgs (off) (V) 最大值：
3
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
75
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SK176供应商更新时间2025-10-30 16:30:00

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