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2SK170-BL	文件：345.12 Kbytes Page：5 Pages	Low Noise Audio Amplifier Applications Low Noise Audio Amplifier Applications • Recommended for first stages of EQ and M.C. head amplifiers. • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 22 mS (typ.) (VDS = 10 V, VGS = 0, IDSS = 3 mA) • High breakdown voltage: VGDS = −40 V • Low noise: En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.) (VDS = 10 V, ID = 1 mA, f = 1 kHz) • High 文件：345.12 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK170-GR	文件：320.27 Kbytes Page：5 Pages	Low Noise Audio Amplifier Applications Low Noise Audio Amplifier Applications • Recommended for first stages of EQ and M.C. head amplifiers. • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 22 mS (typ.) (VDS = 10 V, VGS = 0, IDSS = 3 mA) • High breakdown voltage: VGDS = −40 V • Low noise: En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.) (VDS = 10 V, ID = 1 mA, f = 1 kHz) • High 文件：320.27 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK170-V	文件：320.27 Kbytes Page：5 Pages	Low Noise Audio Amplifier Applications Low Noise Audio Amplifier Applications • Recommended for first stages of EQ and M.C. head amplifiers. • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 22 mS (typ.) (VDS = 10 V, VGS = 0, IDSS = 3 mA) • High breakdown voltage: VGDS = −40 V • Low noise: En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.) (VDS = 10 V, ID = 1 mA, f = 1 kHz) • High 文件：320.27 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK170	文件：218.88 Kbytes Page：4 Pages	FET, Silicon N Channel Junction Type(for Low Noise Audio Amplifier) Low Noise Audio Amplifier Applications • Recommended for first stages of EQ and M.C. head amplifiers. • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 22 mS (typ.) (VDS = 10 V, VGS = 0, IDSS = 3 mA) • High breakdown voltage: VGDS = −40 V • Low noise: En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.) (VDS = 10 V, ID = 1 mA, f = 1 kHz) • High 文件：218.88 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK170	文件：644.2 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel Junction Type Low Noise Audio Amplifier Applications 文件：644.2 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK170	文件：345.12 Kbytes Page：5 Pages	Low Noise Audio Amplifier Applications Low Noise Audio Amplifier Applications • Recommended for first stages of EQ and M.C. head amplifiers. • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 22 mS (typ.) (VDS = 10 V, VGS = 0, IDSS = 3 mA) • High breakdown voltage: VGDS = −40 V • Low noise: En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.) (VDS = 10 V, ID = 1 mA, f = 1 kHz) • High 文件：345.12 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SK170-BL
制造商：
Toshiba
功能描述：
Nch -40V 6mA to 14mA TO92 Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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