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2SK1647L	文件：30.03 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：30.03 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK1647L	文件：94.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：94.91 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1647L	文件：285.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：285.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1647L	文件：299.95 Kbytes Page：2 Pages	丝印：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1647L-E	文件：94.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：94.91 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1647L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
LDPAK(L)/TO-262
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In SBD
VDSS (V) 最大值：
900
ID (A)：
2
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
7000
Ciss (pF) 典型值：
425
Vgs (off) (V) 最大值：
3
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
50
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SK1647L供应商更新时间2025-11-20 16:01:00

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