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2SK1629-E	文件：82.79 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features •Lowon-resistance •Highspeedswitching •Lowdrivecurrent •Nosecondarybreakdown •SuitableforswitchingregulatorandDC-DCconverter Application Highspeedpowerswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK1629-E1-E	文件：248.89 Kbytes Page：8 Pages	500V - 30A - MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.22Ωtyp.(atID=15A,VGS=10V,Ta=25°C) •Highspeedswitching •Lowdrivecurrent •SuitableforswitchingregulatorandDC-DCconverter •Qualitygrade:Standard	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK1629-E1-E_15	文件：137.7 Kbytes Page：7 Pages	500V - 30A - MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK1629	文件：34.9 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features •Lowon-resistance •Highspeedswitching •Lowdrivecurrent •Nosecondarybreakdown •SuitableforswitchingregulatorandDC-DCconverter Application Highspeedpowerswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SK1629	文件：82.79 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFET Features •Lowon-resistance •Highspeedswitching •Lowdrivecurrent •Nosecondarybreakdown •SuitableforswitchingregulatorandDC-DCconverter Application Highspeedpowerswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK1629	文件：328.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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