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2SK1629-E	文件：82.79 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：82.79 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1629-E1-E	文件：248.89 Kbytes Page：8 Pages	500V - 30A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.22 Ω typ. (at ID = 15 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • High speed switching • Low drive current • Suitable for switching regulator and DC-DC converter • Quality grade: Standard 文件：248.89 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1629-E1-E_15	文件：137.7 Kbytes Page：7 Pages	500V - 30A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：137.7 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1629-E1-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-264S
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
500
ID (A)：
30
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
0.27
Ciss (pF) 典型值：
2800
Vgs (off) (V) 最大值：
3
VGSS (V)：
2.5
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SK1629-E供应商更新时间2026-10-24 17:26:00

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