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2SK1486	文件：257.579 Kbytes Page：5 Pages	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS) Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications ● Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.08 Ω (typ.) ● High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 14 S (typ.) ● Low leakage current : IDSS = 300 μA (max) (VDS = 300 V) ● Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID 文件：257.579 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1486	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1488	文件：66.84 Kbytes Page：2 Pages	Drain Current ?밒D=10A@ TC=25C DESCRIPTION • Drain Current –ID=10A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=500 (Min) APPLICATIONS • Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. 文件：66.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1488	文件：193.06 Kbytes Page：5 Pages	Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS III.5) High Speed, High Current DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications. 文件：193.06 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1489	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1489	文件：255.89 Kbytes Page：5 Pages	N CHANNEL MOS TYPE (CHOPPER REGULATOR, HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) Chopper Regulator Applications Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.8 Ω (typ.) High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 6.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 300 μA (max) (VDS = 800 V) Enhancement mode : Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：255.89 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1483_15	文件：1.16588 Mbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET 文件：1.16588 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK1483C	文件：214.1 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING 文件：214.1 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1483C-T1-AY	文件：214.1 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING 文件：214.1 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1483C-T1-AZ	文件：214.1 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING 文件：214.1 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
400
Package Type：
PoMM/SC-62
Ciss (pF) typ.：
230
Nch/Pch：
Nch
Vgs (off) (V) max.：
2.5
Number of Channels：
Single
VGSS (V)：
20
Automotive：
YES
Pch (W)：
2
VDSS (V) max.：
30
Application：
Low Voltage General Switching
ID (A)：
2
Mounting Type：
Surface Mount
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
800

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