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2SK1300	文件：48.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V gate drive device  Can be driven from 5 V source • Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive Application High speed power switching 文件：48.93 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1300	文件：82.6 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V gate drive device - Can be driven from 5 V source • Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive Application High speed power swit 文件：82.6 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1300	文件：305.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1300	文件：773.47 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：773.47 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK1300	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK1300-E	文件：82.6 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V gate drive device - Can be driven from 5 V source • Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive Application High speed power swit 文件：82.6 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1300_15	文件：102.02 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET 文件：102.02 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO-220AB
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
100
ID (A)：
10
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
350
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
250
Ciss (pF) 典型值：
525
Vgs (off) (V) 最大值：
2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
40
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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