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2SK1254

Silicon N Channel MOS FET

Application\nHigh speed power switching •  Low on-resistance\n•  High speed switching\n•  4 V gate drive device\n   Can be driven from 5 V source\n•  Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive;

Renesas

瑞萨

2SK1254

Silicon N-Channel MOS FET

HITACHI

日立

2SK1254(L)

Power switching MOSFET

HITACHI

日立

技术参数

  • 封装类型:

    DPAK(S)/TO-252

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    120

  • ID (A):

    3

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    550

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    400

  • Ciss (pF) 典型值:

    420

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    2

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    20

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Surface Mount

  • 订购条件:

    Large order only

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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