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2SK1162	文件：34.56 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：34.56 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1162	文件：84.07 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：84.07 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1162	文件：322.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：322.38 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1162	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK1162-E	文件：84.07 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：84.07 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更多2SK1162供应商更新时间2026-4-17 18:03:00