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2SJ599	文件：40.93 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SJ599isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=111mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–10A) •Lowinputcapacitance: Ciss=13	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SJ599	文件：50.9 Kbytes Page：2 Pages	MOSFieldEffectTransistor MOSFieldEffectTransistor Features Lowon-resistance RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=-10V,ID=-10A) RDS(on)2=110mΩMAX.(VGS=-4.0V,ID=-10A) LowCiss:Ciss=1300pFTYP. Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ599	文件：243.94 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ599isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=111mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–10A) •Lowi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ599-Z	文件：243.94 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ599isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=111mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–10A) •Lowi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ599-Z	文件：978.97 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ599-Z	文件：40.93 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SJ599isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=111mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–10A) •Lowinputcapacitance: Ciss=13	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

详细参数

型号：
2SJ599-ZK
制造商：
Renesas Electronics Corporation

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更多2SJ599-ZK供应商更新时间2024-5-18 15:21:00

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