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|---|---|---|---|---|
2SJ544 | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：54.62 Kbytes 页数：9 Pages | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | Hitachi | |
2SJ544 | Silicon P Channel MOS FET * Low on-resistance R ds(on) = 0.028 Ohm typ. * Low drive current * 4V gate drive devies. * High speed switching. 文件：88.54 Kbytes 页数：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
2SJ544 | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching | HITACHI 日立 | HITACHI | |
2SJ544 | Power MOSFETs | Renesas 瑞萨 | Renesas | |
Silicon P Channel MOS FET * Low on-resistance R ds(on) = 0.028 Ohm typ. * Low drive current * 4V gate drive devies. * High speed switching. 文件：88.54 Kbytes 页数：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
Silicon P Channel MOS FET 文件：108.01 Kbytes 页数：10 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS |
技术参数
- 封装类型：
TO-220AB
- Nch/Pch：
Pch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
-60
- ID (A)：
-30
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
55
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
37
- Ciss (pF) 典型值：
2500
- Vgs (off) (V) 最大值：
-2
- VGSS (V)：
20
- Pch (W)：
75
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Through Hole
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HIT |
24+ |
TO-220AB |
20000 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
RENESAS |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
HIT |
24+ |
NA |
4000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
25+ |
TO-220 |
9800 |
全新原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
24+ |
NA/ |
800 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
24+ |
TO-220F |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
RENESAS |
25+23+ |
New |
34749 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
RENESAS |
12+ |
TO220 |
5625 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
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