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2SJ327

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ327isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedfor solenoid,motorandlampdriver. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)=0.13ΩTYP.(VGS=−10V,ID=−2.0A) RDS(on)=0.21ΩTYP.(VGS=−4V,ID=−1.6A) •LowCis

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SJ327

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

2SJ327

P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

2SJ327

Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive;

RenesasRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SJ327-Z

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

2SJ327-Z-E1-AZ

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

技术参数

  • RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V:

    170

  • Downloadable:

    SPICE

  • Ciss (pF) typ.:

    750

  • Package Type:

    MP-3/TO-251

  • Vgs (off) (V) max.:

    -2

  • Nch/Pch:

    Pch

  • VGSS (V):

    20

  • Number of Channels:

    Single

  • Pch (W):

    20

  • Automotive:

    YES

  • Application:

    Low Voltage General Switching

  • VDSS (V) max.:

    -60

  • Mounting Type:

    Through Hole

  • ID (A):

    -4

  • QG (nC) typ.:

    27

  • RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V:

    340

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更多2SJ327供应商 更新时间2025-7-29 17:06:00