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2SJ293	文件：297.36 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -15A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.095Ω(Max)@VGS= -10V APPLICATIONS · High Speed Power Switching 文件：297.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SJ293	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ3098-024111F	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	信音上传：深圳权泰科技有限公司	信音
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2SJ605-Z-E1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO220FM
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
60
ID (A)：
15
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SJ293供应商更新时间2026-4-21 14:00:00

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