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2SJ166	文件：350.13 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：350.13 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SJ166	文件：576.17 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING 文件：576.17 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ166	文件：44.49 Kbytes Page：1 Pages	MOS Fied Effect Transistor Features • Directly driven by Ics having a 5V poer supply. • Not necessary to consider dreving current because of its high input impedance. • Possible to reduce the number of parts by omitting the bias resistor. 文件：44.49 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ166	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ166_15	文件：1.34012 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：1.34012 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ166-3	文件：1.35024 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：1.35024 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ166-T1B-A	文件：957.97 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：957.97 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ166-T2B	文件：981.46 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：981.46 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
50000
Package Type：
MM/SC-59
Ciss (pF) typ.：
18
Nch/Pch：
Pch
Vgs (off) (V) max.：
-3
Number of Channels：
Single
VGSS (V)：
7.0
Automotive：
YES
Pch (W)：
0.2
VDSS (V) max.：
-50
Application：
Low Voltage General Switching
ID (A)：
-0.1
Mounting Type：
Surface Mount

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更多2SJ166供应商更新时间2025-11-24 16:30:00

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