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2SI0400T2A1C-33

Gate Driver for 1.2 kV to 3.3 kV Half-Bridge Power Modules Electrical I/O Interface

Product Highlights Highly Integrated, Compact Footprint • Ready-to-use gate driver solution optimized for power modules from 1200 V up to 3300 V blocking voltage • Supporting IGBT, Hybrid (Si-IGBT/SiC-Diode) and Full-SiC MOSFET power modules • Dual channel gate driver • Electrical prima

文件:1.28065 Mbytes 页数:29 Pages

POWERINTPower Integrations, Inc.

荷兰帕沃英蒂格盛有限公司

2SI0400T2A1C-33

Gate Driver for 1.2 kV to 3.3 kV IGBT & SiC Dual Power Modules

Product Portfolio

PI

2SJ103-GR

TOSHIBA/东芝
T0-92

TOSHIBA/东芝

上传:深圳广友电子有限公司

TOSHIBA/东芝

2SJ103GR/BL

TOSHIBA/东芝
TO-92

TOSHIBA/东芝

上传:深圳广友电子有限公司

TOSHIBA/东芝

2SJ105-GR

ROHM/罗姆
TO92S

ROHM/罗姆

上传:深圳广友电子有限公司

ROHM/罗姆

技术参数

  • 支持的模块:

    FMF750DC-66A

  • 输出功率/通道-最大:

    4.0 W

  • 并行支持?:

    No

  • 运作温度 (最小):

    -40 ℃

  • 技术:

    SCALE-2

  • Gate Peak Current (Max):

    +750 A

  • IGBT制造商:

    Mitsubishi

  • IGBT电压等级:

    3300 V

  • 接口类型:

    Electrical

  • 三防漆?:

    No

  • 最大开关频率:

    25.0 kHz

  • 模块外壳:

    LV 100

  • 通道数:

    2

  • Options Info:

    Gate Driver for 1.2 kV to 3.3 kV IGBT & SiC Dual Power Modules

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更多2SI0400T2A1C-33供应商 更新时间2025-10-7 11:00:00