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2SD880-Y	文件：215.23 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Power Transistors Features • With TO-220 package • Power amplifier applications • Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 文件：215.23 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
2SD880-Y	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管	MCC 美微科	MCC
2SD880-Y-BP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A TO220AB	MCC	MCC
2SD880	文件：59.39 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：59.39 Kbytes 页数：1 Pages	TEL 东电电子	TEL
2SD880	文件：118.47 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD880 is designed for audio frequency power amplifier applications. FEATURES * High DC Current Gain: hFE=200(Max.)(VCE=5V, IC=0.5A) * Low Saturation Voltage: VCE(SAT)=1.0V(Max.)(IC=3A, IB=0.3A) * High Power Dissipation: PC=30W (TA=25°C) * Complementary to 2SB834 文件：118.47 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD880	文件：28.29 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) Complement to 2SB834 文件：28.29 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS

技术参数

Product Polarity：
NPN
SMD/ThroHole：
Through Hole
VCEO (V)：
60
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
7.0
IC (A)：
3.0
PC (W)：
1.5
HFE：
100-200
@IC (mA)：
500
@VCE (V)：
5.0
ICBO：
100 µA
IEBO：
100 µA
VCE(sat) (V)：
1.0
VBE(sat) (V)：
1.0
FT (MHz)：
3
Package Qty：
Tube
FIT：
48; Tj=100℃

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更多2SD880-Y供应商更新时间2025-10-17 10:21:00

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