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2SD880	文件：118.47 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD880 is designed for audio frequency power amplifier applications. FEATURES * High DC Current Gain: hFE=200(Max.)(VCE=5V, IC=0.5A) * Low Saturation Voltage: VCE(SAT)=1.0V(Max.)(IC=3A, IB=0.3A) * High Power Dissipation: PC=30W (TA=25°C) * Complementary to 2SB834 文件：118.47 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD880	文件：131.25 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(3A,60V,30W) NPN SILICON POWER TRANSISTORS ... designed for use in audio frequency power amplifier applications 文件：131.25 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2SD880	文件：547.5 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Power Transistor FEATURES: * Low frequency power amplifier * Complement to 2SB834 文件：547.5 Kbytes 页数：3 Pages	WEITRON	WEITRON
2SD880	文件：194.8 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：194.8 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2SD880	文件：95.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SB834 • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • Designed for use in audio frequency power amplifier applications 文件：95.68 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD880	文件：371.31 Kbytes Page：2 Pages	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES • Low Frequency Power Amplifier • Complement to 2SB834 文件：371.31 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD880	文件：103.32 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB834 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for use in audio frequency power amplifier applications 文件：103.32 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD880	文件：74 Kbytes Page：1 Pages	It is intented for use in power amplifier and switching applications. DESCRIPTION It is intented for use in power amplifier and switching applications. 文件：74 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
2SD880	文件：28.29 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) Complement to 2SB834 文件：28.29 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2SD880	文件：1.35606 Mbytes Page：4 Pages	丝印：D880；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Frequency Power Amplifier Complement to 2SB834 文件：1.35606 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

晶体管资料

型号：
2SD882
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_LO.SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD785,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,MJE244,2SD794,2SD794A,3DA92A,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
40
htest：
999900
atest：
6
wtest：
70

产品属性

产品编号：
2SD882
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.1V @ 150mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
SOT-32（TO-126）
描述：
TRANS NPN 30V 3A SOT32

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