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2SD875	文件：38.79 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) For low-frequency output amplification Complementary to 2SD0875 (2SD875) ■ Features • Large collector power dissipation PC • High collector-emitter voltage (Base open) VCEO • Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing a 文件：38.79 Kbytes 页数：2 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD875	文件：71.81 Kbytes Page：3 Pages	For Low-Frequency Power Amplification Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency power amplification Complementary to 2SB0767 (2SB767) ■ Features • Large collector power dissipation PC • High collector-emitter voltage (Base open) VCEO • Mini power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertio 文件：71.81 Kbytes 页数：3 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD876	文件：301.9 Kbytes Page：6 Pages	Si NPN Epitaxial Planar Si NPN Epitaxial Planar 文件：301.9 Kbytes 页数：6 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD876P	文件：301.9 Kbytes Page：6 Pages	Si NPN Epitaxial Planar Si NPN Epitaxial Planar 文件：301.9 Kbytes 页数：6 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD876Q	文件：301.9 Kbytes Page：6 Pages	Si NPN Epitaxial Planar Si NPN Epitaxial Planar 文件：301.9 Kbytes 页数：6 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD877	文件：182.48 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. DC-DC CONVERTER APPLICATIONS. REGULATOR APPLICATIONS. FEATURES: • Low Saturation Voltage: VCE (sat)=0.5V (Typ.) (IC-3A) 文件：182.48 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD878	文件：122.64 Kbytes Page：3 Pages	HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS High Power Amplifier Applications. High Power Switching Applications. DC-DC converter Applications. Regulator Applications. Features 1. High Power Dissipation : Pc = 115W (Tc =25 c) 2. High Collector Current : Ic = 15A 3. Low Saturation Voltage 文件：122.64 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD878	文件：217.44 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION 1. Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 60V (Min) 2. High Power Dissipation 3. High Current Capability APPLICATIONS 1. High power amplifier applications. 2. High power switching applications. 3. DC-DC converter applications. 4. Regulator applications. 文件：217.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD879	文件：94.82 Kbytes Page：4 Pages	1.5V, 3V Strobe Applications · In applications where two NiCd batteries are used to provide 2.4V, two 2SD879s are used. · The charge time is approximately 1 second faster than that of germanium transistors. · Less power dissipation because of low Collector-to Emitter Voltage VCE(sat), permitting more flashes of 文件：94.82 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD879	文件：1.42874 Mbytes Page：4 Pages	丝印：D879；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES In Applications Where Two NiCd Batteries are Used to rovide 2.4V, two 2SD879s are used. The charge time is approximately 1 second faster Than that of germanium transistors. Less power dissipation because of low Collector-to-Emitter Voltage VCE(sat), permitting more flashes of light 文件：1.42874 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

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晶体管资料

型号：
2SD874A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
BCX55,BCX56,2SC3444,2SD1005,2SD1418,3DA104B,
最大耗散功率：
200W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1
wtest：
200

技术参数

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
1
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFEMin：
85
hFEMax：
340
hFE@VCE(V)：
10
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
0.4
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
SOT-89

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