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2SD788	文件：31.29 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB738 and 2SB739 文件：31.29 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD788	文件：167.9 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB738 and 2SB739 文件：167.9 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD788	文件：133.26 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency power amplification For stroboscope ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory operation performances at high efficiency with the low voltage power supply. 文件：133.26 Kbytes 页数：2 Pages	SUNTAC	SUNTAC
2SD788	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 20V 2A 3-Pin TO-92 Mod	NJS	NJS
2SD788CTZ-E	文件：167.9 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB738 and 2SB739 文件：167.9 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD788DTZ-E	文件：167.9 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB738 and 2SB739 文件：167.9 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD788C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Small Signal Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SD788
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1100,2SD1014,2SD1146,2SD1207,3DA10A,
最大耗散功率：
0.9W
放大倍数：
图片代号：
A-12
vtest：
20
htest：
100000000
atest：
2
wtest：
0.9

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
20V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.3@0.1A@1AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
20V
Maximum DC Collector Current：
2A
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
900mW
Maximum Transition Frequency：
100(Typ)MHz
Type：
NPN

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