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2SD768	文件：83.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB727 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For medium speed and power switching applications 文件：83.7 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD768	文件：98.41 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB727 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For medium speed and power switching applications 文件：98.41 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD768	文件：36.59 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Medium speed and power switching complementary pair with 2SB727(K) 文件：36.59 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD768	文件：150.62 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Medium speed and power switching complementary pair with 2SB727(K) 文件：150.62 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD768	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application\n Medium speed and power switching complementary pair with 2SB727(K)	Renesas 瑞萨	Renesas
2SD768	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 120V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS 新泽西半导体	NJS
2SD768K	文件：150.62 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Medium speed and power switching complementary pair with 2SB727(K) 文件：150.62 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD768K	文件：36.59 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Medium speed and power switching complementary pair with 2SB727(K) 文件：36.59 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD768K	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application\n Medium speed and power switching complementary pair with 2SB727(K)	HITACHI 日立	HITACHI

晶体管资料

型号：
2SD768(K)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BD651,BDW63D,BDW73D,BDT21,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
120
htest：
999900
atest：
6
wtest：
40

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
1000@3A@3V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Continuous DC Collector Current：
10A
Maximum Collector Emitter Voltage：
120V
Maximum Collector Base Voltage：
120V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@6mA@3A3.5@60mA@6A
Configuration：
Single

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